Disparadores Schmitt monolíticos
febrero 11, 2021Entre los disparadores Schmitt monolíticos se encuentran los de tecnología CMOS que presentan las siguientes ventajas: alta impedancia de entrada; rango de salida rail-to-rail y bajo consumo de potencia, ventajas que les hace particularmente interesantes para muchas aplicaciones.
Los valores de la tensión umbral o threshold de estos circuitos se encuentran alrededor del 60% de VDD para la VTH y del 40% de la VDD para la TVL; aunque debido a las variaciones del proceso de fabricación, estos valores pueden tener una elevada dispersión.
Ejemplo de estos circuitos son CD20106B y 74HC14. El CD4039B y 74HC132 son otros ejemplos de disparadores Schmitt NAND.
La figura 9.14 contiene información sobre el HCC40106B de SGS-Thomson Microelectronics que es un circuito monolítico CMOS constituido por 6 disparadores Schmitt inversores.
Este circuito no precisa de componentes externos, es insensible al tiempo de subida o caída de las señales de entrada; presenta características de salida simétrica y la corriente de entrada es de 100nA a 25ºC y VDD=18V.
Características de los disparadores Schmitt monolíticos
La gráfica de la figura P.14.c indica la variación de las tensiones (VTH=VP y VTL=VN) umbrales con la tensión de alimentación. Por ejemplo para VDD=10, la VTH=6 y VTL=4V, es decir, el 60% y 40% de la VDD respectivamente. La tensión de histéresis, VH=VP-VN, varía de 0.9V a VDD=5 V hasta 3.5 V a VDD=15V.
Los comparadores monolíticos, por ejemplo el LM339, se configuran mediante resistencias externas para que funcione como un disparador de Schmitt.
La asignación en los valores a las resistencias definen las tensiones threshold del disparador; siempre situadas en el primer cuadrante debido a que opera con una única tensión positiva de alimentación. En la figura 9.15 se presenta el disparador Schmitt inversor basado en el LM339 con sus ecuaciones características de operación.
Las resistencias R1, R2, y R3 define las tensiones de comparación de entrada debido a la realimentación positiva. El valor típico de R4 es uno pocos kΩ, y si se impone la condición de que R3>>R4 para reducir al mínimo la cargabilidad de R3 en el nudo de salida, se verifica de VOH≅VCC.
