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El transistor de uni-unión (unijunction transistor) o UJT está constituido por dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases…
Existen otros dispositivos de cuatro capas cuyo modo de funcionamiento es similar a la de un SCR. En esta sección…
Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basados en la regulación de potencia de los tiristores como los SCR…
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La pandemia mundial del Covid-19 golpea a la economía mundial, principalmente al petroleo. El pasado 20 de Marzo de nuestro…
Los tiristores son dispositivos de estado sólido que tiene dos estados, activación y bloqueo, de modo que emula a un…
El SCR o «Silicon Controled Rectifier» (Rectificador Controlado de Silicio); es un dispositivo con tres terminales; Ánodo, Cátodo y Compuerta…
El Tiristor SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simétrico para aplicaciones de disparo más versátil…
El SIDAC es un tiristor bilateral de disparo de alta tensión y corriente. Es básicamente un diodo de cuatro capas…
El diodo de cuatro capas fue desarrollado por el físico estadounidense William Bradford Shockley (1910-1989), tras abandonar los Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron…
