Transistor bipolar y FET

Transistor bipolar y FET

junio 8, 2020 0 Por Guillermo Huerta

En este tema se introducen las principales características básicas del transistor bipolar y FET y se estudian los modelos básicos de estos dispositivos; así como su utilización en el análisis los circuitos de polarización.

Además, el polarizar un transistor es una condición previa a muchas aplicaciones lineales y no-lineales ya que establece las corrientes y tensiones en continua que van a circular por el dispositivo.

Te sugerimos leer nuestro artículo asociado “Diodo de cuatro capas”

Corrientes en un transistor bipolar de unión o BJT y FET

Un transistor bipolar de unión está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector- siendo la región de base muy delgada (< 1μm). El modo normal de hacer operar a un transistor es en la zona directa. En esta zona, los sentidos de las corrientes y tensiones en los terminales del transistor se muestran en la figura 1.1.a para un transistor NPN y en la figura 1.1.b a un PNP. En ambos casos se verifica que

Ebers y Moll desarrollaron un modelo que relacionaba las corrientes con las tensiones en los terminales del transistor. Por otro lado este modelo, conocido como modelo de Ebers-Moll, establece las siguientes ecuaciones generales que, para un transistor NPN, son:

Transistor bipolar y FET

donde I ES y I CS representan las corrientes de saturación para las uniones emisor y colector, respectivamente; α F el factor de defecto y α R la fracción de inyección de portadores minoritarios. En un transistor bipolar PNP, las ecuaciones de Ebers-Moll son:

Transistor bipolar y FET

Para un transistor ideal, los anteriores cuatro parámetros están relacionados mediante el teorema de reciprocidad

Transistor bipolar y FET

Valores típicos de estos parámetros son: α F =0.99, α R =0.66, I E S =10 -15 A y I CS =10 -15 A .

Transistor bipolar y FET